1、靈敏度遠高于其它同類拉曼譜儀，模塊化設計，波長可任意選擇，配置靈活，升級容易。

2、儀器精度和重復性比市場同類光譜儀提高了一個數量級，所有馬達帶動的機械傳動部件均采用光柵尺自動反饋控制。

3、可一次連續掃描大范圍的光譜()，無需接譜，無需使用低分辨率光柵。

4、受保護的的顯微共焦設計系統，可連續調節共焦深度，并大大提高了儀器的光通量和穩定性。

5、受保護的拉曼或熒光信號整體一次直接成像，迅速獲得材料的空間分布。

6、與多種掃描探針顯微鏡（廠筆慚）聯用，如礎貴慚、廠狽翱慚、頒嘗廠慚等，可同時獲取微區原位的形貌、結構和化學的信息。

 

共聚焦拉曼光譜儀優勢：

1.高分辨：

共聚焦拉曼光譜儀具有800毫米的光譜儀焦長，其所能達到的分辨率約為標準300毫米焦長拉曼譜儀的3倍，比250毫米焦長的老式設計拉曼譜儀更高。從下圖可以清楚地看到，用高分辨率系統采集的譜圖有更多的數據點，在進行微小的拉曼峰移分析時，比短焦長系統準確的多。同樣，用貶擱系統能更準確地給出拉曼譜峰的峰形這一重要的參數，峰位和峰形都能表征重要的樣品變化。&蒼產蟬辮;

 

2.*的靈活性：&蒼產蟬辮;

共聚焦拉曼光譜儀另一個*的優勢就是可在系統中配備一個附加出口。用雙出口選項，可多配備一個紅外 InGaAs陣列，ICCD， PMT或其它專業單道探測器。實際上，該系統有很寬的激光光源適應能力和多探測器選項，能提供很寬的光譜范圍或進行時域分析。 

近紅外探測器對于 在 830納米或 1064納米激發下的發光測量（例如對于半導體材料）和拉曼分析等特別有用。這兩種應用下的光譜都在標準硅器件 CCD探測器的測量范圍之外，例如，一些重要的 III－ V族半導體材料的重要信息在 1100納米和 1300納米區域，不在硅器件的敏感探測區。用其它的探測器（如 InGaAs或 Ge探測器）， 就很容易實現這個區域的測量. 

 

3.應力引起的拉曼位移：&蒼產蟬辮;

共聚焦拉曼光譜儀是一種理想的應用測量工具。左圖中 固體相硅應力拉曼分析表明可識別出 0.3cm-1 的拉曼峰移。半導體器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有類似的小峰位和峰形改變，非常適合用共聚焦拉曼光譜儀進行測量。